Предложен вариант комбинированного диэлектрика для конденсаторов СБИС. Дан анализ его электрофизич. и механич. свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на эффективный встроенный заряд, диэлектрич. проницаемость, пороговое напряжение. Особое внимание уделено остаточным механич. напряжениям в трехслойной диэлектрич. системе, а именно: проанализировано влияние толщины пленки Ta[2]O[5] на радиус кривизны системы Si-SiO[2]-Ta[2]O[5], а также установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta[2]O[5] от радиуса кривизны пластины.