Влияние стехиометрии по кислороду на сегнетоэлектрические свойства тонкопленочных конденсаторов на основе чисто окисных материалов – La0,7Sr0,3MnO3/Pb(Zr0,52Ti0,48)O3/La0,7Sr0,3MnO3

Структуры выращены на (001) LaAlO[3] импульсным лазерным испарением в атмосфере кислорода. Конденсаторы обнаруживают почти прямоугольные петли гистерезиса с остаточной поляризацией 35-40 мкКл/см{2} и коэрц. полем 40-50 кВ/см безотносительно к содержанию кислорода в сегнетоэлектрических и электродных пленках. Структуры обладают высокой термостабильностью и устойчивостью к образованию “отпечатков”. В этих отношениях определяющим является содержание кислорода в электродных солях. Библ. 23.