В ряде работ было показано, что предварительное облучение конденсаторов на МОП-структурах при повышенной температуре перед легированием бором и фосфором приводит к деградации характеристик, снижающих срок службы компонент. Приведенные эксперименты имели целью определить механизм деградации при пассивации для структур p-типа. Было показано, что старение структур связано с миграцией атомов водорода на границе раздела кремния и окиси кремния. Построены зависимости изменения емкости конденсаторов от дозы рентгеновского облучения вплоть до 350 Мрад, отмеченной после года хранения образцов.