Тонкие пленки Ba[0,8]Sr[0,2]TiO[2], осажденные на подложку siO[2]/Si и подвергнуты отжигу при 400, 500 и 600°C в кислороде в течение 30 мин, используются для изготовления плоскопараллельных конденсаторов для стандартной технологии ИС. Такие конденсаторы имеют перестраиваемость более 60% при напряжении 2 В и частоте 100 кГц при комн. температуре. Анализируется влияние отжига в кислороде на перестраиваемость конденсаторов. Установлена сильная зависимость перестраиваемости от кислородных вакансий и отрицательно заряженного кислорода, захваченного на границах зерен и/или границе раздела электрод/диэлектрик.