Предлагается высоковольтный конденсатор, монолитно закрепленный на полупроводниковой подложке, на которой находится область оксида, которая аккумулирует эл. поле, перекрываемая 1-им слоем поликристаллического кремния, изолированным от 2-го слоя поликристаллического кремния при помощи диэл. слоя. Предлагаемый конденсатор содержит 2 элементарных конденсатора (С, С[2]), имеющие 1-ую проводящую обкладку, которая сформирована в 1-м слое поликристаллического кремния. Каждый из этих составляющих элементарных конденсаторов имеет 2-у проводящую обкладку, сформированную во 2-м слое поликристаллического кремния над 1-й обкладкой, и включает упомянутый диэл. слой в качестве изолирующего диэлектрика между двумя обкладками.