Патентуются структура и способ создания контакта между проводящим слоем и площадкой для рассеивания, электростатических зарядов, включающий след. операции: формирование площадки и композитного изолирующего слоя между и на проводящих пластинах на подложке, при этом изолирующий слой изолирует и защищает проводящие пластины и площадку от разрушений, изолирующий слой содержащий диэлектрическую область под проводящим слоем. По меньшей мере на части проводящего слоя сформирован пассивирующий слой и рисунок схемы из фоторезиста. Через слой пассивации и изолирующий слой вытравлены окна, причем фоторезист и проводящий слой выполняют функцию маски. Проводящий материал осаждают в окна маски с образованием контакта между площадкой и проводящим слоем.