Улучшение качества сегнетоэлектрической тонкой пленки (Sr,Ba)TiO3 и перестраиваемость

Обзор методов изготовления, технологич. вопросов и структурных характеристик сегнетоэлектрической тонкой пленки (Sr,Ba)TiO[3] (SBT), полученной ВЧ-магнетронным распылением или методом золь-гель. Перестраиваемость диэлектрич. постоянной, диэлектрич. потерь и ток утечки являются основными параметрами перестраиваемых СВЧ-устройств. Электрич. характеристики тонких пленок значительно улучшаются при добавлении примеси.