Структуры с туннельными магнитными переходами, содержащие ферромагнитные слои, разделенные изолирующими туннельными барьерами, образующими антиферромагнитные структуры за счет обменного механизма, широко применяются в системах нестираемой магн. памяти. В данной работе приведены результаты исследования таких структур на основе IrMn и MnFe, полученных методом магнетронного распыления на подложки из кремния с окисным покрытием, проведенного в Станфордской лаборатории синхротронной радиации. Испытания проводились путем измерения интенсивности излучения от энергии фотонов для образцов, подвергшихся отжигу при различных температурах. Приведены кривые, показывающие, что иридий-марганцевые структуры обладают большей стабильностью в интервале температур отжига, чем железо-марганцевые.