Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи. Сущность изобретения: способ создания диэлектрического слоя включает нанесение на подложку исходного образующего слоя и последующее окисление в кислородной плазме. В качестве материала исходного образующего слоя используют металл титан, нанесенный вакуумным напылением в слой толщиной 5-10 нм. Окисление проводят в кислородной плазме с давлением кислорода 0,8-1,0 Торр, мощностью ВЧ-разряда 100-400 Вт, в течение 2-64 мин. В способе в качестве подложки используют пластину из полупроводника, например, 4 группы, кремния. Техническим результатом изобретения является снижение толщины получаемых диэлектрических слоев TiO[2], снижение дефектности, достижение высокой гладкости и сплошности, достижение совместимости со стандартной промышленной технологией СБИС.