Предложен способ изготовления толсто и тонкопленочных гибридных схем для металлооксидных подложек, отличающийся тем, что для структуирования схем требуются проводниковые, резисторные и изолирующие слои, изготавливаемые известным способом на изолирующих слоях оксида металлов, напр. с помощью мокрого электрохим. способа, создающего за счет внешней или внутренней связи на основе металла. В качестве основы при изготовлении изолирующих оксидных слоев м. б. использованы алюминий, магний и титан, которые позволяют создать изолирующий оксидный слой в качестве подложки для тонко- и толстопленочных гибридных схем.