Патентуемый способ включает изготовление полупроводникового кристалла и многослойной структуры межсоединений. Кристалл содержит множество контактных элементов на одной из поверхностей, которые соединены с многослойной структурой паяными соединениями. Многослойная структура содержит теплопроводящий слой из материала определенной толщины с заданным коэф. термического расширения, предупреждающим отказ паяных соединений между кристаллом и электропроводящими элементами. Корпус содержит диэл. материал, обеспечивающий достаточную пластичность соединений в процессе эксплуатации.