Теоретически описали (расчеты из первых принципов) рассеяние электронов проводимости на свободной от дефектов доменной стенке в гцк-никеле, гцк-кобальте и оцк-железе. Показали, что в том случае, когда стенка имеет реальную ширину, влияние стенки на электропроводность мало, но оно ненулевое. Изменение электропроводности при образовании доменной стенки полностью связано с изменением электронной зонной структуры ферромагнетика, в свою очередь обусловленным поворотом вектора намагниченности М в пределах стенки. В случае узкой стенки, в которой происходит его полный поворот (т. е. стенка является 180°-ной, разделяя домены с антипараллельными М), должно иметь место заметное падение электропроводности. Библ. 23. [Delft University of Technology, Дельфг; Philips Research Laboratories, Эйндховен, Нидерланды].