Ферромагн. туннельные переходы, обладающие высокой магниторезистивностью, получаются путем магнетронного распыления индуктивно связанной плазмы, а туннельные барьеры формируются с помощью кислородно-аргоновой плазмы, сконцентрированной одновитковой индуктивностью. Исследования показали, что резистивность насыщения и коэф. магниторезистивности, а также высота потенциального барьера зависят от толщины алюминиевого слоя, нанесенного на подложку и времени его окисления. Магниторезистивность снижается при толщине окиси алюминия менее 1 нм, при этом изменяется спино-вентильная структура магн. слоя. Библ. 10.