Разработан метод и установка для анализа поверхности непроводящих участков на полупроводниковых пластинах относительно определения загрязнений на подложке. Для проведения анализа на полупроводниковой пластине выбирается участок, который изолируется посредством размещения на участке разработанной установки. На поверхность выбранного участка наносителя жидкость в виде водного раствора или растворителя, в которых избирательно растворяются загрязнители. Затем нанесенная жидкость вместе с растворенными загрязнителями удаляется для проведения анализа. При нанесения на поверхность водного травильного водного травиального раствора растворяется часть полупроводниковой пластины и большое количество загрязнителей разных типов, которые идентифицируются по результатам анализов. Рекомендуемый водный травиальный раствор состоит из плавиковой кислоты и перекиси водорода. В таком травителе растворяются многие загрязнители, которые не растворяются в других известных травиальных растворах. Предлагаемая установка для проведения анализов изготавливается из политетрафторэтилена (PTFE) или других аналогичных материалов, стойких к плавиковой кислоте.