Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с вертикальной структурой и изолированным затвором, обогащением N-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, в схемах управления электродвигателями и другой РЭА. В табличной форме приведены предельно допустимые режимы эксплуатации и основные эл. характеристики.