Рассматриваются некоторые вопросы, касающиеся моделирования и изготовления нихромовых резисторов для СВЧ ИС. Резисторы изготавливают на полуизолирующих подложках арсенида-галлия и затем разрезают и соединяют с компланарными волноводными тест-приспособлениями для измерения параметров рассеяния в широком частотном диапазоне. Частотно-зависимые параметры рассмотрены в диапазоне до 15 ГГц для большого количества нихромовых резисторов. Показано, что полученные с помощью моделирования s-параметры строго соответствуют результатам измерений.