При температурах 50-441 К с помощью ВАХ и ВФХ исследованы механизмы проводимости и распределение заряда в тонкопленочных конденсаторах Pt/(Ba[x]Sr[1-x]Ti[1+y]O[3+z](BST)/Pt при приложении напряжения или тока. Сдвиг напряжения на ВФХ указывает на зависимость заряда конденсаторов от времени и напряжения. Зависящий от напряжения и температуры сдвиг ВФХ согласуется с зависимостью от напряжения заряда на границе раздела, возникающей в результате изменения потенциала в граничных дипольных слоях. С помощью модели барьера Шотки, учитывающей зависимость заряда на границе раздела с катодом и анодом от напряжения, исследованы механизмы проводимости в конденсаторах. Основные механизмы проводимости – дрейф-диффузия, термоавтоэлектронная эмиссия и туннелирование Фаулера-Нордгейма – определяют утечку конденсатора. При любых напряжениях и температурах термоэлектронная эмиссия не управляет протеканием тока.