Металлоорганическим ХГФО с использованием O[2] или N[2]O в качестве окислителей получены на пластине Si, находящейся при температуре 420°C, тонкие пленки HfO[2]. Использование окислителя N[2]O повышает концентрацию связей Si-N на границе раздела пленка/Si, что приводит к ослаблению диффузии Si и образованию силиката. Плотность ловушек на границе раздела МОП-конденсатора с поликристаллич. электродом Si и пленкой HfO[2] составляет 4*10{10} см{-2}*эВ{-1} вблизи середины запрещенной зоны даже после активационного отжига при 1000°C.