Исследование конденсаторов, размещаемых на полупроводниковых кристаллах и имеющих структуру металл-изолятор-металл-изолятор-металл, получаемую на основе технологии покрытия медью окиси кремния

Использование многослойных структур, встроенных в радиочастотные и микроволновые микросхемы является общепринятой технологией получения конденсаторов. В данной статье приведен новый метод изготовления таких конденсаторов со структуро-металл-изолятор-металл-изолятор-металл (MIMIM), основанный на применении нанесения медного покрытия на изолятор в виде окиси кремния. Применение изолятора толщиной менее 0,18 мкм позволило достичь плотности емкостей, встроенных в кристалл, 1,7 фемтоФарады/мкм{2}. Приведена эквивалентная схема конденсатора, включающая последовательно включенную индуктивность. Экспериментальные исследования показали, что новая структура совместима со стандартной КМОП-технологией и обеспечивает повышенное значение пробивного напряжения.