Исследовались электрич. характеристики конденсаторов Al-Ti[2]O[5]-Al (методами ВФХ и ВАХ), состав пленок Ta[2]O[5] (методом спектроскопии обратного резерфордовского рассеяния) и их кристалличность (методом рентгеновской дифракции). Отжиг конденсаторов улучшает выход годных структур, однако приводит к росту токов утечки. Осаждение Ta[2]O[5] на Al, нанесенный на полимерное покрытие поверхности Si, обеспечивает приемлемые для применения в многокристальных модулях характеристики конденсаторов.