Скорости переключения в ферроэл. конденсаторах, используемых в устройствах ферроэл. памяти, зависят от питающих напряжений, гистерезисных свойств и поляризационных характеристик. Предлагается эквивалентная схема конденсатора, содержащая несколько параллельных емкостных ветвей, в которых гистерезисные свойства представлены последовательно включенными нелинейными резисторами. Для кристалла из стронций-висмутового таталата представлена динамическая модель, характеризующаяся коэрцетивным напряжением и остаточной поляризацией. Исследование экспериментального образца конденсатора такого типа, реализованного в виде пленки толщиной 175 нм, подтвердили, что предлагаемая модель и эквивалентная схема дают возможность оценки скоростей переключения при произвольном характере нарастания напряжения.