Нанесение небольшого количества SiN[x] на верхнюю и нижнюю границы раздела конденсаторов Al[2]O[3] улучшает их термич. стабильность и электрич. характеристики. Нижний слой SiN[x] образуется при отжиге в NH[3], а верхний – при ХГФО из SiH[4] и NH[3] в сверхвысоком вакууме. Свойства системы после отжига при 1050°C в течение 30 с изучены с помощью ВАХ, ВФХ, ПЭМ и спектроскопии энергетич. потерь электронов (ЭПЭ). Измерения ВАХ показывают уменьшение тока утечки в 50 раз при нанесении двух монослоев SiN[x] на границе раздела поликремний/диэлектрик, а измерения ВФХ показывают увеличение толщины емкостного эквивалента до 1,2A. Уменьшение тока утечки объясняется не только увеличением указанной толщины, но и пассивацией границы раздела в результате осаждения SiN[x]. ЭПЭ-спектры показывают существование N на верхней и нижней границах раздела. Конденсаторы с полученным ХГФО SiN[x] показывают хорошую термич. стабильность, в частности, их ток утечки не превышает 1*10{-8} А/см{2}.