Высокое качество омических контактов p-типа является необходимым условием обеспечения высокого быстродействия и надежности ряда оптоэлектронных приборов. Хотя на тонких материалах p-типа более предпочтительны несплавные омические контакты, для них характерна определенная температурная нестабильность. Для решения этой проблемы были изготовлены омические контакты металлизацией Ir/Au и Pd/Ir/Au на подложке из полупроводника InGaAs p-типа. Описываются результаты измерения эл. характеристик таких контактов и их сравнения с традиционными омическими контактами с металлизацией Ti/Pt/Au. Было установлено, что новые контакты имеют такое же низкое омическое сопротивление, но значительно более устойчивы по температуре.