Патентуемая диэлектрич. керамика включает: а) кристаллич. зерна ABO[3], имеющие границы зерен, составляющие поверхности раздела между кристаллич. зернами, при этом A – Ba, Sr, Ca или их комбинация, B – Ti, Zr, Hf или их комбинация; и б) добавочные компоненты R и M, где R выбирают из группы, включающей La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y или их комбинации; М выбирают из группы, включающей Ni, Co, Fe, Cr, Mn и их комбинации; при этом, если границы зерен анализировать в четырех точках, делящих на равные части периферию каждого кристаллич. зерна, суммарное содержание R и M составляет >=70%. В частности, А включает Ba, B – Ta, а R выбирают из Sm, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Y и их комбинации. Содержание R и M в керамике составляет .