» Емкостные элементы
Оксидные электроды в качестве барьера разрушения водородом ферроэлектрических конденсаторов основанных на Pb(Zr, Ti)O3
Известно, что ферроэл. свойства пленок Pb(Zr,Ti)O[3] разрушаются, когда подвергаются действию образовавшегося при отжиге газа. В ранних публикациях было установлено, что хотя может происходить потеря кислорода, свинца во время образования газа при отжиге, основным механизмом потери ферроэл. свойств является легирование водородом и последующего образования [OH]{-1} связей между ионизированным водородом и ионами кислорода вдоль оси поляризации в октаэдре. В данной работе показано, что (La,Sr)CO[3] оксидные электроды могут вести себя как диффузионный барьер для водорода во время образования газа при отжиге. Образование газа при отжиге при низких температурах, таких как 200 и 300°C не приводит к измеримой потере поляризации...
Краевая емкостная структура
Предложены схема и способ изготовления краевого конденсатора, содержащего по меньшей мере два емкостных слоя, каждый из которых состоит из двух частей. Предложена схема соединения непарных участков одного слоя с соотв. участниками др. емкостного слоя, а также схема соединений участков емкостных слоев с участками проводящих слоев, определяющих электроды конденсаторной структуры, меду которыми размещен диэлектрик. На некотором расстоянии от электродов сформирована ограничительная (охранная) полоса.
...
Твердый электролитический конденсатор
Фирмой Showa Denko K. K., Япония, предложен способ изготовления твердого электролитического конденсатора. На анодированную подложку из вентильного металла последовательно наносят диэлектрическую окисную пленку, слой полупроводника и проводящий слой на базе пасты. На структуру наносят слой полимера, который входит в состав проводящей пасты, а затем герметизирующий слой. Полупроводниковый слой обычно формируют на базе двуокиси свинца или двуокиси свинца и сульфата свинца в качестве основных компонентов. В качестве полимера используют акриловую смолу. Способ позволяет уменьшить эквивалентное последовательное сопротивление на высоких частотах.
...
Эффекты барьеров Шотки в фотопроводимости тонкопленочных конденсаторов на основе титаната-цирконата свинца, полученного золь-гель методом
Исследовалась зависимость фотоотклика сегнетоэлектрич. конденсаторов Pt/Pb(Zr[0,53]Ti[0,47])O[3]/Pt/Ti/SiO[2]/Si от уровня сегнетоэлектрич. поляризации. Измерялись ВАХ при освещении образцов монохроматич. светом с энергией фотонов 3,5 эВ. После поляризации ВАХ становились весьма асимметричными. Определена емкость барьерных слоев, величина которой значительно больше емкости, отвечающей толщине пленки сегнетоэлектрика. Это свидетельствует об образовании в результате поляризации контактных барьеров Шотки.
...
Способ изготовления тонкопленочного многослойного конденсатора
Предлагается структура электронного компонента, в которой предполагается структура тонкопленочного разделительного конденсата которая находится между активным электронным компонентом и МПП. Предлагается также способ изготовления разделительного тонкопленочного конденсатора. Для того, чтобы ограничить короткие замыкания в перекрывающихся тонкопленочных областях, которые возникают в результате ямок травления, пустот или изгибов на поверхности подложки, первый толстый слой металла толщиной порядка 0,5-10 мм осаждается на подложку, на которую затем наносится оставшиеся тонкие пленки, включая диэл. пленки, и второй металлический слой. Первый металлический слой содержит Pt или другой электродный металл или комбинацию Pt, Cr и Cu и диффузионный барьерный слой. Дополнительные слои Ti м. б...
Сегнетоэлектрический конденсатор и способ его изготовления
Патентуются устройство и способ изготовления конденсатора на основе сегнетоэлектрика, используемого в устройствах нестираемой памяти, обеспечивающие стабильность параметров после длительного хранения и защиту от поляризационной инверсии основного элемента конденсатора-пьезоэл. трансдуктора. Многослойная структура содержит подложку из кремния, нижний электрод из платины, пьезоэл. слой из титанат-цирконата свинца и нижний электрод из окиси палладия. Палладиевый слой защищает пьезоэл. трансдуктор от воздействия кислорода, приводящего к снижению емкости.
...
Пластмассовый конденсатор
Настоящее изобретение относится к конденсатору, в котором диэлектрики образованы из пластмассовой пленки, в которую диспергированы керамические частицы. Пластмассовая пленка изготовлена при помощи процесса, включающего стадии покрытия керамических частиц воском, диспергирования покрытых воском керамических частиц в расплавленной пластмассе и штамповка расплавленной пластмассы, в которой диспергированы керамические частицы, в тонкую пленку. Изготовленный т. обр. конденсатор компактен и обладает большой емкостью. Это достигается использованием диэлектриков, образованных из пластмассы с улучшенной диэл. постоянной и хорошей способностью обработки...
Электролитический конденсатор, содержащая его плата и способ их изготовления
В предлагаемой конструкции конденсатора анодная часть сформирована из вентильного металла с диэл. слоем на поверхности анода и электродов, а катодная часть сформирована из твердого электролитического слоя и коллекторного зарядного слоя. Поверхность конденсатора и выводов имеет грубую структуру, причем конденсаторная структура сжата в направлении толщины грубого поверхностного слоя. Детали конденсатора, за исключением электродов и катода, выполнены литьем. Предлагаемый конденсатор м. б. встроен в ППЛ для использования в быстродействующих схемах источников питания.
...
Электропроводящий полимер, конденсатор на твердом электролите и способ его изготовления
Изобретение касается полимера высокой электропроводимости, имеющего сопряженные двойные связи, используемого в качестве твердого электролита для электролитических конденсаторов. Для получения полимера используется метод окислительной полимеризации. Патентуемый электролит обеспечивает хорошие исходные характеристики конденсаторов, превосходную долговременную надежность, а также прочность при высокой температуре и высокую влагостойкость.
...
Высоковольтный конденсатор
Предлагается высоковольтный конденсатор, монолитно закрепленный на полупроводниковой подложке, на которой находится область оксида, которая аккумулирует эл. поле, перекрываемая 1-им слоем поликристаллического кремния, изолированным от 2-го слоя поликристаллического кремния при помощи диэл. слоя. Предлагаемый конденсатор содержит 2 элементарных конденсатора (С, С[2]), имеющие 1-ую проводящую обкладку, которая сформирована в 1-м слое поликристаллического кремния. Каждый из этих составляющих элементарных конденсаторов имеет 2-у проводящую обкладку, сформированную во 2-м слое поликристаллического кремния над 1-й обкладкой, и включает упомянутый диэл. слой в качестве изолирующего диэлектрика между двумя обкладками.
...
Поле возбуждения в тонкопленочных конденсаторах на основе свинцово-лантановых и титан-циркониевых соединений
Гистерезисные свойства ферроэлектрических материалов дают возможность их использования в устройствах памяти со случайным доступом, обладающих свойством нестираемости информации и работающих при малых напряжениях электропитания. В данной работе приведены характеристики поляризации при малых длительностях импульсов, характеризующие скорость ввода и вывода информации из памяти, при использовании трехслойной эпитаксиальной структуры, содержащей 2 слоя с химической формулой La[0,5]Sr[0,5]CoO[3] и промежуточный слой из (Pb,La)(Zr,Ti)O[3]. Приведены гистерезисные кривые ферроэлектрических конденсаторов на частотах от 1 до 100 кГц, показывающие, что их коэрцетивная сила увеличивается с ростом частоты...
Высоковольтные конденсаторы ABB
Фирма ABB более 70 лет производит силовые конденсаторы и системы на их основе, создавая как отдельные установки, так и полные комплексные проекты. Интенсивные исследования, применение современных материалов и постоянное совершенствование технологий позволяют изготавливать конденсаторы самого высокого качества. При этом, конденсаторная технология затрагивает не только сами конденсаторы, но и связанные с ними процессы производства и вспомогательные устройства. Подразделение ABB Capacitors (Лудвик, Швеция) полностью отвечает за весь бизнес в области конденсаторов...
Корреляция между микроструктурой и циклическими характеристиками работой электродов RuO2 для тонкопленочных микросуперконденсаторов
Изготовлены твердотельные тонкопленочные микросуперконденсаторы (ТМСК) с электродами RuO[2] и электролитом LiPON. Выполненные при комн. температуре зарядо-разрядные измерения показывают, что удельное емкостное сопротивление зависит от отношения газов в потоке кислорода R=O[2]/(O[2]+Ar). Рентгеновская дифракция и ПЭМ показывают, что электроды, выращенные при R=10%, содержат нанокристаллиты (0,7-10 нм в поперечнике), внедренные в аморфную матрицу, а электроды, выращенные при R=30%, являются поликристаллическими (диаметр зерен 0,7-15 нм). Зависимость R от циклич. работы ТМСК с электродами RuO[2] рассматривается с точки зрения совместного влияния микроструктуры электродов, границы раздела и поверхн. морфологии электродов.
...
Токи затвора в металло-окисно-полупроводниковых конденсаторах: новая модель туннельного тока
Снижение толщины диэлектрического слоя в области затвора в ходе усовершенствования КМОП-технологий приводит к повышению риска пробоя изоляции металло-окисно-полупроводниковых (MOS) конденсаторов вследствие туннельного электронного эффект. Приведены модель и аналитическое описание оксидного барьера при толщине изоляции менее 3 нм, основанная на применении уравнение Фаулера-Нордхайма и дающая возможность оценки величины туннельного тока. Модель включает построение треугольного или трапецеидального барьера и оценку рассеяния электронов внутри барьера. Для эксперим. подтверждения точности модели были изготовлены образцы MOS-конденсаторов на подложке из кремния p-типа с поликристаллическими затворами. Сравнение теор. и эксперим...
Универсальный кварцедержатель для ИГ-300
При выходе из строя кварцевого резонатора (КР), вызванного обрывом растяжек, фиксирующих положение кварцевой пластины внутри стеклянной колбы герметизированного КР, а также по другим причинам использование генератора ИГ-300 как прибора с высокими метрологическими характеристиками становится невозможным, поскольку отсутствует возможность точной калибровки его шкалы в единицах частоты. Приобрести КР такого же конструктивного исполнения невозможно, поскольку ИГ-300 выпущен достаточно давно и запасные части к нему уже не выпускаются. Поэтому была разработана конструкция универсального кварцедержателя (УКД), позволяющая использовать КР в различных конструктивных исполнениях.
...
Исследование тока утечки и временной зависимости диэлектрического пробоя тонкопленочных конденсаторов ферроэлектриков свинец-цирконат-титонат для применяемых в устройствах памяти
Свинец-цирконат титанат (PZT) является интересным ферроэл. материалом для применения в устройствах памяти. Изготовлен металл-PZT-металл конденсаторы с Au и Pt в качестве верхнего и нижнего электродов. Изучены ток утечки, временная зависимость диэл. пробоя (TDDB), время жизни и корреляции между ними. Найдено, что ток утечки связан с приложенным эл. полем соотношением степенного закона. Найдено, что экспонента в соотношении степенного закона, равна 0,88 в области низких полей (ниже чем 100 кВ (см) и 9,6 в области высоких полей (выше чем 100 кВ/см). Измерены TDDB PZT конденсаторов. Предложен экстраполяционный метод для получения времени жизни TDDB из данных о времени пробоя. Найдено, что экспоненциальный степенной закон, полученный из измерений TDDB в этом методе находится в хорошем соответствии с измерениями тока утечки. Библ. 14.
...
