» Резистивные элементы
Устройство высоковольтного переменного резистора
Патентуется схема переменного резистора, предназначенного для регулировки фокусирующего напряжения и напряжения обратного хода развертки в электронно-лучевой трубке, обеспечивающая высокое сопротивление изоляции относительно корпуса ТВ-приемника. Корпус резистора состоит из двух частей, в одной из которых размещается резистор с постоянным сопротивлением, а во второй – переменная часть с резистивным слоем и скользящим контактом. Постоянное сопротивление резистора и верхняя часть отсека переменного резистора заливаются эпоксидной смолой. Контакт с резистивным слоем осуществляется с помощью натянутой струны, по которой перемещается ползунок.
...
Резистор
Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам. Резистор содержит рабочую секцию и корпус, поперечное сечение которого содержит линию внешней границы, по крайней мере в одном из поперечных сечений по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов косого конического сечения прямого кругового конуса. Техн. результатом является обеспечение конструктивно заложенного изменения линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении резистора в изделии увеличивается плотность монтажа, повышается надежность крепления деталей в ограниченном объеме и безошибочность монтажа резистора в схеме относительно других деталей. Для утилизации резистора требуется меньше работы при разрушении корпуса.
...
Поликремниевые резисторы с высоким уд. сопротивлением
Разработан процесс получения легированных бором поликремниевых слоев высокого уд. сопротивления, используемых для микрополосковых детекторов. Хорошая воспроизводимость характеристик слоев была достигнута при дозах имплантации менее 7*10{12} см{-2}. Для этих доз поверхн. сопротивление лежит в диапазоне 1*10{9} Ом квад. Процесс совместим со стандартной КМОП-технологией и м. б. легко введен в сложное производство микросистем. Поликремниевый материал м. б. с успехом использоваться в производстве датчиков давления. Библ. 11.
...
Резистор переменный, реализующий функции потенциометрического датчика
Резистор переменный, реализующий функции потенциометрического датчика, состоит из опрессованного корпусом из органической смолы резистивного элемента с металлическими выводами и поворотной подвижной системы с подпружиненными нажимными точками, запертой в корпусе крышкой. Резистивный элемент содержит верхнюю гибкую подложку из органической смолы, установленную под ней встречно резистивную подложку и размещенную между ними прокладку с освобождениями под рабочую и коммутационную зоны. Корпус опрессовывает резисторный элемент по контуру гибкой подложки в единый блок с реализацией функции мембранного блока резисторного элемента. При этом нажимные точки подвижной системы скользят по гладкой поверхности гибкой подложки, что обеспечивает повышенную износоустойчивость резистора...
Цифровой резистор, подгоняемый лазером
Предлагается лазерная система и способ, подгонки резистивных линий, выполненных в нелигированных подложках из арсенида галлия, без повреждения соседних схемных структур. Система включает лазерный источник, обеспечивающий выход энергии на длине волны в диапазоне 0,9-1,5 мкм, позиционер пучка, систему совмещения и резистивную пленочную структуру. Подгоночная схема включает 11 тонкопленочных резисторов в виде симметричной матрицы из последовательных параллельных и соединительных резисторов.
...
Комплекс методов и средств автоматизации процессов электроискровой подгонки пленочных резисторов
Разработаны новые методы повышения производительности подгонки до 2-х раз и точности подгонки в 2 и более раз, по сравнению с существующими методами, за счет регулирования параметров высоковольтных разрядных импульсов и управления положением разрядного электрода. Предложены варианты увеличения производительности подгонки за счет расширения технол. возможностей оборудования, например хранения в памяти установки оптим. параметров импульсов для конкретных резистивных материалов и номиналов подгоняемых резисторов.
...
Экспериментальные и теоретические исследования зависимости сопротивления полупроводникового резистора, входящего в состав БМК 3201, от температуры
Комплементарный аналоговый базовый матричный кристалл (АБМК) разрабатывается для реализации на его основе отдельных функциональных устройств и целых трактов обмотки аналоговых устройств, снимаемых с твердотельного электронного умножителя (ТЭУ). Кристалл АБМК сконструирован для выполнения по современной комплементарной биполярной технологии. На кристалле располагаются биполярные СВЧ-транзисторы. В качестве программы для расчета и моделирования был выбран программный пакет TCAD фирмы ISEAG. Рассчитана зависимость сопротивления низкоомного резистора от температуры. Показано, что при больших температурах преобладает рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. Поэтому с увеличением температуры в этом диапазоне температурная подвижность носителей уменьшается...
Резистор для защиты схемы проводников печатной платы
Резистор улучшенной стабильности относительно скачков напряжения, обеспечивающий защиту линий электронных схем, таких как печатные схемы систем телесвязи. Резистор выполнен из резистивного материала, осажденного на изолирующую подложку. Резистор имеет серпантинную конфигурацию, снабженную настроечными полосками из проводящего материала, расположенными на каждом повороте серпантина. Полоски для настройки резистора частично перекрывают серпантинную схему.
...
Влияние миниатюризации на встроенные резисторы для подложек с высокой плотностью межсоединений
Тенденция миниатюризации при производстве ППЛ создала новую проблему: необходимость определения мощности, которая может рассеивать встроенный в подложку резистор тонкопленочного типа с учетом плотности соединительных проводников, перекрывающих резисторы, и соответствующего выбора его геометрии. Эксперим. исследования были проведены для 40 резисторов различных мощностей и размеров. Они показали, что наличие решеток паяльных шариков и копланарных соединителей, а также контактных площадок и сквозных отверстий в платах требует принятия спец. мер в виде создания миниатюрных радиаторов для резисторов с номиналом более 47 Ом. Было показано, что нагруженные резисторы с мощностью рассеяния 200-300 мВт на должны иметь ширину менее 0,4 мм.
...
Экспериментальные исследования стабильности толстопленочных резисторов
Излагается методика проведения экспериментов по исследованию стабильности толстопленочных резисторов (ТПР), подвергаемых различным электрофизическим воздействиям, и результаты экспериментов. Доказана высокая чувствительность параметров температурной зависимости сопротивления (ТЗС) и возможность их использования в базе автоматизированных систем проектирования технол. процессов изготовления пассивной части ГИС. Выявлена возможность прогнозирования поведения сопротивления ТПР по поведению параметров ТЗС в условиях термоциклирования ТПР. Доказана возможность стабилизации параметров ТПР путем “быстрого” термоциклирования.
...
Тонкопленочные резисторы для высокоразрядных ГИС ЦАП-АЦП. Технология производства
Расширение возможностей элементной базы, выполненной по полупроводниковой технологии, в какой-то степени сокращает использование пассивных компонентов и, прежде всего, резисторов. Однако в РЭА применение резисторов по-прежнему остается наиболее массовым. Поэтому в условиях непрерывного совершенствования полупроводниковой элементной базы резисторы также претерпевают качественные изменения – появились новые конструктивные исполнения для поверхн. монтажа и для ГИС наборы толсто- и тонкопленочных резисторов в интегральном исполнении, улучшаются их эл. характеристики и уменьшаются габариты.
...
Снижение напряжений в планарных резисторах
Вторая часть статьи по проблеме обеспечения высокой точности и стабильности характеристик при производстве пленочных резисторов. В частности, в первой части была предложена мера `коэф. напряжений, являющаяся своего рода колич. правилом для определения характеристик поверхности пленки, при которых обеспечивается наибольшая стабильность величины сопротивления резистора. Подробно осуждается значение лазерной подгонки для снижения разброса сопротивления при изготовлении пленочного резистора. Рассматриваются различные технологии лазерной подгонки и обсуждаются их возможности и особенности с позиции предложенной ранее меры.
...
Переменный электрический резистор
Переменный эл. резистор содержит эластичный электропроводящий шарик, заклиненный между электродами, присоединенными к поворачивающимся жестким стержням. Эл. сопротивление измеряемое между электродами уменьшается, когда шарик сжат внешним давлением, приложенным к жестким стержням. В растянутой форме два эластичных электропроводящих шарика расположены т. обр., что уменьшение сопротивления одного шарика при приложении внешней силы уравновешивается увеличением сопротивления др. шарика. Изобретение может с успехом использоваться для автоматического регулирования мощности батарей эл. двигателя, помогающих педальным средствам.
...
Влияние режима обработки на параметры и микроструктуру толстопленочных резисторов на основе рутенатов
Приведены результаты исследования влияния на параметры толстопленочных резисторов режима спекания/продолжительности спекания, макс. температуры. Исследовались пасты на основе рутената свинца, рутената CuBi и силиката циркония. Показано, что увеличение продолжительности и макс. температуры спекания приводит к уменьшению зависимости величины сопротивления от температуры. Приведены результаты исследования структуры резисторов, полученные с помощью метода дифракции рентгеновского излучения и при использовании электронного микроскопа, работавшего на просвет. Библ. 9.
...
Тонкопленочные резисторы на основе окисей титана, хрома и алюминия
Патентуется способ изготовления тонкопленочных резисторов, основанный на осаждении на изолирующую подложку частиц окислов титана, хрома и алюминия. Осаждение производится путем магнетронного распыление металлокерамики, содержащей соответствующие окислы, в атмосфере аргона с примесью молекулярного кислорода. Сопротивление слоя обратно пропорционально парциальному давлению кислорода, что позволяет регулировать его величину. Метод м. б. также использован при изготовлении панелей для плоских дисплеев.
...
Реализация технологии лазерной подгонки для встроенных резисторов
Реализация потенциала вложенных в ППЛ тонкопленочных пассивных компонентов требует практической отработки ряда технологий отдельных этапов их изготовления. В частности, общим для изготовления всех вложенных пассивных компонентов является наличие инструмента, обеспечивающего точную подгонку внутренних слоев в соответствии с заданными допусками. Одной из наиболее эффективных и широко используемых технологий высокоточного изготовления тонкопленочных резисторов и конденсаторов является лазерная подгонка, которая естественным образом д. б. перенесена и на соотв. этап изготовления встроенных компонентов. Рассматриваются базовые концепции реализации лазерной подгонки для встроенных резисторов и обсуждаются некоторые достижения в этом направлении.
...
