» Прочие электронные компоненты
Экспериментальное определение оптимальных шагов катушки для плоского микромагнитного датчика сетчатого типа
Планарные датчики, состоящие из плоских катушек, широко применяются для определения свойств материалов в ближней зоне: проводимости, диэл. постоянной и т. д. В данной статье рассматриваются свойства плоских датчиков сетчатого типа с различными величинами шагов между ячейками. Датчик состоит из двух частей: возбуждающей катушки, генерирующей высокочастотное магнитное поле, и приемной катушки, выполняющей роль датчика. Обе катушки м. б. размещены на общей ППЛ. Оптим. шаги между витками катушек обычно подбираются экспериментально. Измерения передаточного импеданса датчика используются для оценки характеристик материала с помощью простой модели нейронной цепи.
...
Физико-химические основы технологии электронных средств
Учебное пособие соответствует Государственному образовательному стандарту по направлению подготовки дипломированных специалистов 654300 “Проектирование и технология электронных средств”, а также бакалавров и магистров 551100 “Проектирование и технология электронных средств”. В учебном пособии рассмотрены физ., хим. и физико-хим. законы и явления, на которых основаны технол. процессы, используемые при производстве и эксплуатации электронных средств. Описаны методы исследования материалов и процессов, принципы построения и работы современного исследовательского оборудования.
...
Абсорбер электрических волн
Абсорбер радиоволн имеет отражатель радиоволн и по меньшей мере два слоя, абсорбирующих радиоволны, сформированные на поверхности отражателя. Слои выполнены из базового материала (напр. термопластичной или термореактивной смолы, резины, эластомера и др.), смешанного с электропроводящим оксидом титана. Отношение компонентов смеси базового материала с последним м. б. различным, что обеспечивает различные свойства абсорбции радиоволн.
...
Спин-вентильный магниторезистивный элемент
Спин-вентильный магниторезистивный элемент включает жесткий базовый слой, сформированный на пиннинговом магн. слое с промежуточным намагн. слоем, поэтому магн. поле из базового слоя эффективно прикладывается к свободному магн. слою. Т. к. базовый слой не влияет на пиннинг-слой, то последний и свободный магн. слой находятся в одном магн. доменном состоянии, что снижает Barkhausen шум и обеспечивает получение удовлетворительной микро-трековой асимметрии.
...
Составная подложка для электронного оборудования, использующая слой разводки, изготовленный из меди и прозрачный проводящий слой, изготовленный из композитного оксида и металлоксида, как основного компонента
Изобретение предлагает составную подложку для электронного оборудования использующую слой разводки, изготовленный из материала, в котором не происходит увеличения величины эл. сопротивления в контактной части, даже при непосредственном контакте с прозрачным проводящим слоем, изготовленным из ITO или подобных композитных оксидов. Составная подложка для электронного оборудования использует слой проводников, изготовленных из меди и прозрачный проводящий слой, изготовленный из композитного оксида содержащий оксид иода и оксид какого-либо металла, выбранного из группы, содержащей Zn, Sn, Ga, Ta, Mg и свинец в качестве основных компонентов. Такие подложки применяются в жидкокристаллических дисплеях.
...
Магнитные катушки, изготовленные из высокотемпературного сверхпроводника
На основе использования технологий получения покрытий путем погружения и электрофореза получены сверхпроводящие композитные проводники и изготовлены катушки, обладающие сверхпроводящими свойствами при температурах до 55{°}К, что дает возможность создания сверхпроводящих магнитов без применения криогенных температур. В Оксфордском университете разработана 5-слойная лента на основе сплавов серебра, обладающая высокотемпературной сверхпроводимостью, и создана установка со сверхпроводящим магнитом, работающая при высоких температурах. Отмечается, что уже разработаны сплавы, имеющие температуру сверхпроводимости 64-77{°}К. Библ. 4.
...
PSPICE для чайников или революция Педерсона
Предлагается модель MOSFET транзистора IGBT, представляющего собой мощный высоковольтный PNP-транзистор, управляемый от низковольтного МОП-транзистора с индуцированным каналом через высоковольтный N-канальный полевой транзистор. Новая технология позволила объединить в одном элементе достоинств полевых и биполярных транзисторов. Параметры IGBT-транзисторов определяются характеристиками “полевой части”. Предлагается программа PSPICl позволяющая создавать модели электронных устройств.
...
Фильтры типа SEMIFLIT-RGM
Сообщается о выпуске фильтров, используемых для подавления ВЧ шумов в эл. трактах. Фильтры типа SEMIFLIT-RGM содержат резистивные элементы и проходные конденсаторы большой емкости, одна из обкладок которых заземлена. Величина емкости конденсатора в пределах серии варьируется от 22 пФ до 220 пФ, а величина сопротивления резистора равна 50 Ом или 100 Ом. Приведены частотные характеристики фильтров в диапазоне 1 МГц…1 ГГц.
...
Пакетированные пассивные компоненты
Изобретение касается пакетированной матрицы пассивных компонентов, используемой для монтажа на ППЛ с целью уменьшения площади монтажа, время для монтажа и паразитных взаимодействий между компонентами. Каждый компонент имеет пару контактов, сформированных в модуле, содержащем множество изолирующих прокладок. Между соседними компонентами размещается одна прокладка, обеспечивающая с одной стороны разделение двух компонентов, а с др. стороны объединяющая компоненты в единый модуль.
...
Элемент с магниторезистивным эффектом, содержащий металлический подслой
Патентуется устройство магниторезистивного элемента для считывающей головки устройства памяти на магниторезистивным диске, обеспечивающее высокую плотность записи информации, хорошие температурно-резистивные свойства и пониженную интенсивность электромиграции при больших эл. полях. Датчик изготавливается путем нанесения на кварцевую подложку двух слоев: подслоя из алюминия, платины, хрома или ванадия и магниторезистивного слоя толщиной 30 нм из ферроникеля. Нанесение обоих слоев производится путем распыления материала ионным лучом в вакууме при давлении 10{-2} Па и использовании для распыления аргона. Магниторезистивный элемент собирается в сендвичеобразную структуру с верхним и нижним электродами.
...
Доработка сетевого адаптера портативного CD-плеера
Портативные CD-плееры сейчас очень популярны. Несмотря на их изобилие на российском рынке, многие привозят CD-плееры из-за рубежа, например, в виде подарка. При этом часто возникает проблема их использования и подзарядки в стационарных условиях от сети 220 В, 50 Гц, так как прилагаемый в комплекте сетевой адаптер (СА) часто оказывается рассчитанным на сетевое напряжение 120 В, 60 Гц. Лишь некоторым владельцам удается успешно решить эту проблему самостоятельно, либо с помощью опытных продавцов-консультантов, приобретя СА с необходимыми параметрами. Доработке сетевого адаптера посвящена эта статья.
...
Способ предотвращения коррозии алюминиевых проводников после пассивации и нанесения противоотражательного слоя перед травлением
Патентуется способ защиты алюминиевых проводников, наносимых на поверхности полупроводниковых кристаллов методом сухого травления, в процессе производства, не требующий использования спец. оборудования. После нанесения проводящего слоя методом пассивации и осаждения противоотражающего покрытия из сернистого фтора на поверхность наносится покрытие из полимера, защищающего алюминий из коррозии в процессе изготовления ИС. Полимер легко удаляется при плазменном травлении и нанесении фоторезиста.
...
Самодельные фототранзисторы
При разработке конструкций с оптическими датчиками предположение следует отдавать фототранзисторам. Они более стабильны по характеристикам. В ряде случаев их применение позволяет упростить схему. Но из-за дефецита фототранзисторов радиолюбителям приходится “дорабатывать” обычные транзисторы, удаляя крышку с корпуса. Самодельные фотостранзисторы практически не применяются. Изготовить стабильный фототранзистор можно в домашних условиях если незначительно изменить традиционную технологию. Приводится технология изготовления.
...
Радиочастотный комбинированный элемент
Радиочастотный комбинированный элемент содержит подложку, несущую высоко эффективный усилитель, линию передачи и изолятор. Усилителем является полупроводниковый элемент, смонтированный на многослойной подложке и упакованный в кожух. Линия передачи заканчивается на элементе подложки, соединяющем выходной терминал высокоэффективного усилителя с входным терминалом изолятора, так что компоненты составляют интегральный композитный элемент. Целью исследования является обеспечить радиочастотный комбинированный элемент составленный интегрально при помощи усилителя и невзаимодействующего элемента схемы; элемент должен быть малым и тонким в размере и легко монтироваться на ППЛ...
Устройство с магнитостатической волной
Патентуется способ изготовления элементов с магнитостатической волной, используемых в устройствах памяти с цилиндрическими магн. доменами и оптических разделителях цепей. В качестве основы для получения элемента используется монокристалл граната пленочного вида, устанавливаемый на монокристаллической подложке с помощью эпитаксии в жидкой фазе. Монокристалл граната изготавливается путем спекания в платиновом тигле при температуре +200°C окислов иттрия, железа, лантана, галлия, свинца и висмута. Путем прессования формируется пластина с размерами 4*4 мм. В качестве подложки используется кристалл, имеющий хим. формулу Gd[3]Ga[5]O[12]. На элемент напыляются алюминиевые электроды, формирующие 2 раздельных трансдуктора. Элемент работает в диапазоне частот 0,6-1,8 ГГц и имеет малые потери.
...
