» Материалы для электроники и радиотехники
Прилипающая паяльная паста
Паяльная паста NC-SMQ92 фирмы Индиум (США) не содержит галогенов и может наноситься без давления, поскольку она обладает хорошими адгезионными свойствами. Это позволяет использовать пасту для пайки поверхностей диаметром от 300 до 1270 мкм, напр. для БИС. Паста хорошо контактируется, распай имеет светлую, блестящую поверхность и практически сферическую форму, что, в частности, облегчает контроль качества ППЛ с помощью игольчатого щупа. Паста выпускается с различными легирующими добавками.
...
Металлизация сшитых эпоксидных смол восстановлением присоединенных к полимерам металлических ионов
Методами ИК-спектроскопии, сканирующей электронной и фотоэлектронной спектроскопии, рентгеновскими лучами и по динамич. вязкоэластичности и микроанализу электронных проб исследована металлизация пленок восстановлением введенных в их структуру хлоридов кобальта и никеля. Пленки изготовляют из полиэтиленгликоля диглицидиловых эфиров с их отверждением под действием ангидрида 5-(2,5-диоксотетрагидрофурил)-3-метил-3-циклогексен-1,2-дикарбоновой кислоты.
...
Влияние модификации смешанным оксидом Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 на диэлектрические свойства керамики Pb(Zr0,52Ti0,48)O3
С помощью установки для автоматизированных диэлектрич. измерений методом смешивания оксидов определены диэлектрич. свойства керамики (1-x)Pb(Zr[0,52]Ti[0,48])O[3]-xPb(Mg[1/3]Nb[2/3])O[3] (x=0; 0,1; 0,3; 0,5; 0,7; 0,9 и 1,0). Диэлектрич. постоянная и тангенс угла диэлектрич. потерь керамики измерены как функции частоты и температуры. Анализ диэлектрич. свойств показывает, что чистые Pb(Zr[0,52]Ti[0,48])O[3] (PZT) и Pb(Mg[1/3]Nb[2/3])O[3] (PMN) являются нормальным и релаксорным сегнетоэлектриками соответственно. Керамики 0,9PZT-0,1PMN и 0,7PZT-0,3PMN являются нормальными сегнетоэлектриками, тогда как все другие составы – релаксорными. Высокая степень неупорядоченности керамики, модифицированной Pb(Mg[1/3]Nb[2/3])O[3], приводит к более сильному размытию фазового перехода...
Материал для магнитной записи, устройство для магнитной записи, метод магнитной записи и способ изготовления среды для магнитной записи
Предметом изобретения являются среда для магн. записи с высокой плотностью и соотв. устройство для магн. записи. Особенностью предложенной среды является использование многослойной структуры с антипараллельным намагничиванием различных слоев В составе среды имеются слой переноса и слой магн. материала, который наносится на поверхность структуры, содержащей слой переноса. Упомянутая структура содержит слой фкрромагн. материала и расположенный на нем слой немагнитного материала. Слой магнитного материала располагается на поверхности слоя немагнитного материала. Достоинством структуры является высокая термическая стабильность характеристик.
...
Гистерезис диэлектрических свойств Li-Ti-ферритовой керамики
Получены полевые зависимости величины поляризации Li-Ti-ферритовой керамики. В зависимости от температуры наблюдаются либо нелинейность, либо нейлинейность и гистерезис этих зависимостей. Обнаружены электрич. скачки Баркгаузена. Получены температурные зависимости амплитуды скачков при переполяризации образцов в электрич. полях разной напряженности. Результаты свидетельствуют о наличии сегнетоэлектрич. свойств Li-Ti-ферритовой керамике.
...
Улучшение качества сегнетоэлектрической тонкой пленки (Sr,Ba)TiO3 и перестраиваемость
Обзор методов изготовления, технологич. вопросов и структурных характеристик сегнетоэлектрической тонкой пленки (Sr,Ba)TiO[3] (SBT), полученной ВЧ-магнетронным распылением или методом золь-гель. Перестраиваемость диэлектрич. постоянной, диэлектрич. потерь и ток утечки являются основными параметрами перестраиваемых СВЧ-устройств. Электрич. характеристики тонких пленок значительно улучшаются при добавлении примеси.
...
