» Материалы для электроники и радиотехники
Система изоляции на основе слюдяной ленты
Специалисты фирмы Tyco Electronics разработали новую систему изоляции проводов и кабелей, предназначенных для авиационной промышленности. В ее основе лежит использование слюдяной ленты – вместо традиционной полиимидной изоляции – с покрывающими политетрафторэтиленовыми или поливинилформальдегидными материалами. Такая изоляция является тепло- и огнестойкой, механически прочной, имеет малую массу и, кроме того, характеризуется высокой трекинг-устойчивостью.
...
Влияние деформации изгибом на критический ток в лентах Bi-2223/Ag с различными структурами
Сообщается, что результаты измерений анализировались с использованием симметричной чисто изгибной модели. Необратимая деградация показала, что ослабление критич. тока, в основном, обусловлено образованием и распространением трещин в хрупком керамич. ядре Bi-2223. Обнаружено, что число волокон в лентах и структура лент могут сильно влиять на результаты испытаний истинных критич. характеристик лент. Отмечается, что допустимая изгибная деформация ленты может быть усилена путем добавления металлич. полосы на верхнюю сторону ленты.
...
Травление плавленого кварца и стекла с использованием эксимерного лазера на длине волны 351 нм
Проведено сравнительное исследование травления различных стекол и плавленого кварца при облучении эксимерным XeF-лазером (351 нм). Установлено, что скорость травления всех материалов почти линейно растет с флюенсом облучения при малых флюенсах. Для стекол пороговой флюенс составил 0,5 Дж/см{2}, скорость травления при флюенсе 1 Дж/см{2} была равна 6-10 нм/имп. Вследствие небольшой скорости травления при лазерной обработке формировалась очень гладкая поверхность.
...
Применение пластических материалов в электротехнической и радиоэлектронной промышленности
Приведен краткий обзор применения пластических материалов при изготовлении деталей РЭА и электротехн. аппаратуры. Перечислены достоинства пластических материалов, которые отнесены к областям безопасности использования, в том числе и в смысле надежности эксплуатации необслуживаемой аппаратуры; высокой технологичности производственных процессов; области конструирования; области эстетики и эргономики; области защиты окружающей среды (простота вторичной переработки). Указано, что в наст. время на долю пластических материалов приходится 16% суммарного объема материалов, используемых в электротехнической и радиоэлектронной промышленности в странах Зап. Европы...
Травление материалов для магнито-резистивных устройств памяти со случайным доступом на основе применения циклотронного резонанса плазменных электронов
Материалы типа железо-никель-кобальтовых сплавов находят все более широкое применение в устройствах постоянной памяти с неразрушаемой при выключении питания информацией. В данной статье описан способ изготовления таких структур, основанный на сухом травлении с помощью плотного потока ионов, генерируемого с применением плазменного источника. Возбуждение потока производится на основе циклотронного резонанса электронов. Магн. пленки наносились на подложки из кремния путем радиочастотного распыления, после чего с помощью фотолитографии поверхность покрывалась маской из фоторезиста или окиси кремния. Травление производилось при давлении 1,5-20 мТорр и мощности распылителя от 50 до 250 Вт...
Графит-эпоксидные ламинаты с внедренными пьезоэлектрическими датчиками
Приводятся результаты исследований влияния внедренных пьезо-электрических выводных цирконий-титанат (PZT) датчиков на прочность при растяжении и режим отказов квази-изотропных графит/эпоксидных ламинатов, используемых в аэрокосмических изделиях. Испытания на монотонное растяжение показали, что в обоих случаях (ламинаты без и с датчиками) прочность на растяжение и модуль Юнга отличались друг от друга в пределах 4%. В процессе приложения нагрузки уменьшения модулей в обоих случаях было в пределах 5-15%. Увеличение расслаивания при отказах также в обоих случаях было сравнимо. Библ. 11.
...
Механизмы перемагничивания многослойных тонких пленок Tb/Fe и временная зависимость их намагничивания
Результаты анализа выполненного ранее (см. предыдущий реферат) использовали при интерпретации данных измерений магн. свойств многослойных пленок Tb/Fe для магнитооптич. записи. Указано, что по полевым зависимостям остаточной намагниченности и графикам ДЕЛЬТАM(H) можно определить механизм, контролирующий перемагничивание данных пленок. Установлено, что пленки малой толщины перемагничиваются по типу “трудное зарождение” (т. е. механизм контроля – это процесс зарождения обратных доменов). Напротив, пленки с высоким содержанием Tb и числом бислоев свыше 6 перемагничиваются по типу “трудное смещение” (т. е. механизм контроля – это процесс смещения доменных стенок). В пленках с промежуточным содержанием Tb смещение стенок играет основную роль, если толщина пленок превышает 20 бислоев...
Медная паста для микроструктур, содержащая алюминат меди
Предлагается проводящая паста на основе меди, содержащая алюминат меди, применяемая для заполнения сквозных отверстий в керамических подложках. Способ заполнения отверстий медной пастой с последующим спеканием хорошо известен и применяется при изготовлении полупроводниковых устройств. Однако при применении медных паст – как для заполнения отверстий, так и для получения толстопленочных схем – во время спекания происходит усадка пасты, что часто приводит к дефектам. Многочисленные исследования проводились относительно выявления возможностей регулировать усадку паст с помощью введения в композицию материалов с высокой температурой плавления, напр. оксида алюминия...
Магниторезистивные материалы для воспроизводящих элементов
Магниторезистивные материалы используются для изготовления чувствительных элементов тонкопленочных преобразователей различных устройств, прежде всего магн. накопителей для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью. В одной из модификации магн. накопителя поверхн. плотность записи составляла 103 Гбайт/дюйм{2}. Для воспроизведения информации записанной с такой малой плотностью использовался многослойный магниторезистивный преобразователь, чувствительный элемент которого имеет относит. магнитосопротивление 15-30%. Высокая чувствительность магниторезистивного элемента обеспечивается благодаря туннельному переходу в его диэл. слое, расположенному между его магн. слоями...
Влияние природы буферного слоя на величину связи и кинетические свойства сэндвичей Co/Ru/Co
Сэндвичи Co(3 нм)/Ru(0,5 м)/Co(3 нм) выращиваются ионно-лучевым распылением на стеклянной подложке с различными буферными слоями с целью оптимизации величины антиферромагн. связи и гигантского магнитосопротивления. Наибольшее магнитосопротивление 1,7% получается при использовании буферного слоя Fe(5 нм)/Co(0,5 нм)/Cu(3 нм). В случае буферного Ru-слоя магнитосопротивление и величина антиферромагн. связи осциллируют с периодом 1 нм при изменении толщины этой слоя. Библ. 20.
...
Формирование чувствительных/активных фаз в металлах и полимерах, основанное на структурировании материалов
Активные или смарт-структуры вызывают большой интерес в технике благодаря их способности обнаружения неисправностей, мониторинга мех. нагрузок. Они также являются перспективными материалами для изготовления датчиков и активаторов, многофункциональных материалов и металло-матричных композитов. Примерами композитных материалов могут служить решетки оптических волокон в алюминиевых матрицах. Авторы предлагают обобщенную концепция композитных материалов, различного назначения, не требующих больших затрат на изготовление и могущих найти самое широкое применение.
...
Полимерные компаунды для кабельной промышленности, не содержащие галогенов и фосфора
Фирма Degussa выпускает новое семейство огнестойких, не содержащих галогенов и фосфора полимерных материалов Vestamid (полиамидных смол), характеризующихся пониженным дымовыделением в случае возгорания и предназначенных для использования в кабельной промышленности, – их можно применять при формировании изоляции/оболочки автомобильных кабелей, судовых кабелей, кабелей для эл. сетей железных дорог и др.
...
Влияние межслойного взаимодействия на надежность соединений корпусов с размерами кристалла при использовании Sn-36Pb и Sn-8Zn-3Bi припоев
В условиях изотермического старения исследована микроструктура Sn-37Pb и Sn-8Zn-3Bi припоев и прочность соединения припоев с Au/Ni/Cu контактными площадками. С увеличением температуры и времени старения прочность уменьшалась, причем прочность Sn-8Zn-3Bi припоя была выше, чем Sn-37Pb припоя. В последнем выявлено, что Ni[3]Sn[4] компаунды и нерегулярной формы Pb-обогащенная фаза были внедрены в бета-Sn матрицу. Ni[3]Sn[4] компаунды наблюдались на поверхности раздела припоя и контактной площадки. Микроструктура Sn-8Zn-3Bi припоя после оплавления представляет бета-Sn матрицу, рассеянную Zn-обогащенной фазой.
...
Нанокристаллические порошки TiAl, синтезированные размолом в высокоэнергетической шаровой мельнице. Влияние параметров размола на производительность и загрязнения
Размол (Р) в высокоэнергетической шаровой мельнице использовали для получения нанокристаллических порошков Ti-Al. Т. к. слипание порошков может быть достаточно сильным, чтобы вызвать почти нулевую производительность, уделили внимание изменению условий Р так, чтобы увеличить производительность, в то же время устраняя загрязнение порошков. Исследовали влияние параметров Р, таких как размалывающий инструмент, исходное состояние порошка и добавление реагентов, контролирующих процесс (РКП). В качестве РКП использовали циклогексан, стеариновую кислоту и гидрид титана. Р выполнили или в ампуле из хромовой стали с шарами из углеродистой стали, или в ампуле из карбида вольфрама (WC) с шарами из WC, используя элементарные или предварительно сплавленные порошки...
Эффект магнитных моментов Gd на сверхпроводимость в бесконечном слоистом сверхпроводнике Sr0.9Gd0.1CuO2
Сообщается о синтезе и сверхпроводниковых свойства Sr[0.9]Gd[0.1]CuO[2]. Намагничивание в слабом поле, структурный анализ и величина парамагн. момента иона Gd(мюЭКВИВ7.6 мю[13]/Gd) показали однородность легирования образцов. Обсуждается корреляция между критич. температурами и тетрагональными a-осными константами решеток в (Ln, Ce)[2]CuO[4] и (Sr, Ln)CuO[2]. Линия поля необратимости и плотность внутризеренного критич. тока измерялись с целями определений пиннинговых свойств. Силы пиннинга оказались почти одинаковыми в случаях Ln=La и Gd.
...
Магнитная проницаемость многослойных лент с обменным смещением
Приведены результаты исследований многослойной ленточной структуры, содержащей кроме железомарганцевых и железоникелевых магнитомягких слоев, немагн. слой из титана. На границах магн. и немагн. слоев имеет место обменное смещение силовых линий магн. поля, что приводит к их антипараллельному расположению. При этом образуется стабильная однодоменная структура, обладающая свойством размагничивания при слабом поле при высокой начальной магнитной проницаемости. Приведены кривые намагничивания материала и зависимости характеристик от ширины ленты. Библ. 8.
...
