Представлена информация об инструменте, который может быть эффективно использован для изучения химич. состояния и небольших радиационных повреждений на поверхности толстого диэлектрика. Он был использован для анализа поверхности MgO-панели плазменного экрана, состоящей из последовательности диэлектрич. слоев толщиной около 51 мкм на стеклянной пластине толщиной 2 мм. Изображение в сканирующем фотоэлектронном микроскопе диэлектрич. поверхности MgO было получено с использованием разницы в сдвиге пика Au 4f в результате поверх. зарядки для каждого пикселя. Слой адсорбированного Au толщиной около 15 AA был нанесен на поверхность для устранения большого сдвига в положении пика в результате зарядке и искажений в фотоэлектронных спектрах. Наблюдаемый контраст в изображении показывает изменение химич. состояния расположенной ниже поверхности MgO, вызванное нарушениями, созданными плазменным разрядом. На исходной поверхности были идентифицированы MgO, MgCO[3], Mg(OH)[2] и Mg{1+}. Mg(OH)[2] и Mg{1+} быстро исчезали после возникновения повреждений в результате разряда.