Конденсаторы со структурой МИП (металл-изолятор-полупроводник) получены осаждением из паровой фазы с использованием HfO[2] диэлектрика и распылением Cu и Al электродов. Для сравнения были изготовлены конденсаторы с SiO[2] диэлектриком. Испытания стабильности и надежности конденсаторов показали, что в отличие от высокой скорости дрейфа Cu в SiO[2] диэлектрик, Cu в контакте с HfO[2] диэлектриком имеет высокую стабильность. Эти результаты свидетельствуют о том, что HfO[2] является хорошим барьером для диффузии Cu.